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联创光电:硅衬底项目望获国家科学技术奖一等奖

  • 网络
  • 2016年-01月-09日 21:53
  • 分类:股票
核心提示:消息称2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月8日在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析,备受瞩目的技术发明一等奖有望花落硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管项目(下称硅衬底项目)。硅衬底项目的主要参与人员孙钱昨日对记者表示,从国家战略层面讲,硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线,可以构建中国完全自主的LED产业。 与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石

消息称2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月8日在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析,备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(下称“硅衬底项目”)。硅衬底项目的主要参与人员孙钱昨日对记者表示,从国家战略层面讲,硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线,可以构建中国完全自主的LED产业。

与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示,在成本持续下降的背景下,硅衬底技术如若能获得资本大力追捧,LED产业格局有望被重塑。

联创光电(17.32 -9.93%,买入)A股唯一披露真正涉及硅衬底技术的公司。

据公司此前年报披露,早在2007年该公司开展的“基于硅衬底的光电子器件封装及应用”项目即获重大突破,2008年公司与南昌大学合作的“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目验收。

联创光电还在2014年年报中表示,公司积极参与通发娱乐官网省战略性新兴产业——半导体照明封装与应用协同创新平台建设,成为首批通发娱乐官网省5家协同创新体之一,申请到政府产业发展科研政策扶持约2000万元配套资金,为推动公司LED产业的持续升级和跨越发展创造了条件。

除此之外,A股真正涉及硅衬底技术的公司目前尚未发现有公开披露。

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